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        浙江大學杭州國際科創中心2021年博士后研究人員招收計劃-寬禁帶半導體材料與器件專項

        發布:2021-04-10 03:16:24  關注:41892次

        浙江大學杭州國際科創中心(以下簡稱杭州科創中心)是新時代杭州市與浙江大學深化全面戰略合作的重大項目。杭州科創中心聚焦物質科學、信息科學、生命科學的會聚融通,推動在微納尺度下多學科交叉的顛覆性技術革命,支撐引領未來高端制造和未來產業發展,打造長三角一體化發展的重要創新極,成為具有世界聲譽的國際化創新生態區和杰出人才匯聚地。為打造一流的人才隊伍,杭州科創中心現向全球發布"博士后研究人員招收計劃-寬禁帶半導體材料與器件專項",歡迎優秀青年才俊加盟。

        該專項依托杭州科創中心先進半導體研究院實施,研究院聚焦寬禁帶半導體領域的國際前沿和重大科學問題,瞄準國家在信息、能源等領域的重大戰略需求,依托長三角區域領先的產業優勢、浙江大學雄厚的科研實力和杭州科創中心創新的體制機制,打造一個國內領先、國際先進的前沿技術創新研發平臺,推動產學研深度融合發展。研究院由杭州科創中心首席科學家楊德仁院士牽頭建設,學術委員會主任由鄭有炓院士擔任,院長由盛況教授擔任。研究院將集中建設超凈實驗室和寬禁帶半導體材料生長、芯片研制、封裝測試及應用的先進研發設施和大型儀器設備。

        一、擬重點引進方向

        1、寬禁帶半導體材料及裝備(氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、氮化鋁和金剛石等);

        2、寬禁帶半導體器件(基于碳化硅和氮化鎵等材料的功率器件、射頻器件、芯片集成技術及其他相關技術);

        3、封裝測試和應用(功率器件、射頻器件及其他器件相關的封裝、模塊集成、測試技術和應用技術);

        4、其它相關領域。

        二、申請條件

        1、近三年內獲得博士學位,品學兼優,身體健康,原則上不超過35周歲;

        2、保證全職從事博士后研究工作,不招收在職人員;

        3、具有物理、材料、微電子、電氣工程等學科背景和科研經驗,從事過交叉學科研究者優先考慮;

        4、具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力;

        5、具有良好的英語聽說讀寫能力;

        6、近三年內以第一作者發表1篇以上有一定影響力的研究論文,研究成果突出者優先考慮。

        三、工作地點與薪酬待遇

        1、工作地點:杭州。

        2、薪酬:提供有競爭力的市場化薪酬,同步享受杭州市蕭山區相關人才政策。

        3、其他待遇:

        (1)提供一流的實驗與科學研究條件;

        (2)可提供蕭山精裝修人才公寓或中心公寓;

        (3)參與杭州科創中心重大課題研究并取得顯著成績的,可獲得額外資助或津貼;

        (4)在站期間,符合條件的博士后研究人員可申報杭州科創中心相關系列高級專業技術職務;

        (5)工作期間表現優秀、業績突出的博士后,如符合要求,可優先推薦申請浙江大學教師崗位或杭州科創中心技術研發崗位。

        四、申請材料

        申請材料包括:

        ①《浙江大學杭州國際科創中心博士后申請簡表》(見附件);

        ②表明研究能力和學術水平的成果(如獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等)及佐證材料;

        ③博士學位論文。申請人將以上材料電子版發送至杭州科創中心指定郵箱,附件和郵件主題均以"博士后崗位+姓名+高校人才網"標明。

        聯系人:楊佩雯

        電話:0571-82359099

        郵箱:

        附件:

        浙江大學杭州國際科創中心

        2020年7月28日

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