2.具有納米材料制備、材料性能表征、相變流動傳熱傳質、有限元分析等至少一個方面的豐富經(jīng)驗和學術功底；

3.熟悉光刻、刻蝕、蒸發(fā)、剝離、沉積、酸堿處理等各單步工藝及其工藝流程的整合優(yōu)先考慮。

2.負責cvd材料生長工藝研發(fā)，配合其他人員開展材料制備工作；

3.負責微納加工，協(xié)助完成項目目標；

4.為實驗室的前沿科學探索項目提供技術支持。

1.年薪14-50萬元，提供具有市場競爭力的薪酬,具體工資一人一議。特別優(yōu)秀者年薪可達50萬元以上。

2.良好的校園工作環(huán)境，正常的工作時間（無三班倒），享受國家法定節(jié)假日，提供靈活的寒暑假期，寒暑假天數(shù)和績效掛鉤，績效優(yōu)異者或做出重大貢獻者，可增加至三周假期。

3.根據(jù)工作表現(xiàn)，提供有競爭性年終獎，重大突出成就或貢獻者，高達6個月的績效獎。

4.提供子女就讀交大附屬學校機會，表現(xiàn)優(yōu)異者提供入編機會。

（二）博士后

1.博士后崗位綜合年薪24-50萬元。支持申請“勵遠博士后”：入選者在站期間若獲得“中國博士后創(chuàng)新人才計劃支持”或“上海市超級博士后激勵計劃”資助，在計劃執(zhí)行期間，薪酬不低于50萬元/年。

2.博士后按照上海市和上海交通大學博士后管理政策辦理有關落戶事宜，可享受博士后公寓，博士后出站若留上海工作，配偶及子女可隨遷落戶。

3.博士后取得優(yōu)秀科研成果、滿足上交教研系列要求者，經(jīng)評估后可推薦留校獲教軌教職。

微信號：18401621500

2.組裝零部件，實現(xiàn)整機功能；

3.解決在科研實驗或設備工具的問題，提供后續(xù)設備改進工作目標

2.有集成電路前端設計經(jīng)驗最好，無工作經(jīng)驗的需有扎實的ic設計背景和開疆拓荒的熱情；

3.熟悉使用數(shù)字前端eda工具，熟悉掌握verilog硬件描述語言，熟悉perl、shell等常用腳本語言；

2.參與流片后的測試工作；

2.在自動控制系統(tǒng)設計和搭建方面有豐富經(jīng)驗，熟悉常見通訊方式及原理，至少熟悉一門編程語言，對嵌入式開發(fā)或上位機開發(fā)有豐富的經(jīng)驗。

3.具有廣泛的計算機硬件系統(tǒng)知識，熟悉通用操作系統(tǒng)、辦公軟件，熟悉局域網(wǎng)和無線網(wǎng)絡，了解數(shù)據(jù)庫和網(wǎng)絡安全系統(tǒng)，能夠解決復雜的軟件和硬件問題。

2.參與設備搭建和改造，主導完成設備自動化控制研發(fā)；

3.管理軟件許可證，維護和升級現(xiàn)有的計算機系統(tǒng)；

4.工作站并行計算作業(yè)管理器的設置和優(yōu)化；

5.維護軟硬件升級記錄，維護設備操作規(guī)程及軟件使用策略；

6.協(xié)助參與其他實驗室建設和相關管理工作。

2.擁有相關儀器設備的搭建維護工作經(jīng)驗者優(yōu)先；

2.采用多種表征技術，特別是基于電學模式原子力顯微鏡的表征技術，對二維材料與電子器件進行包括電學特性在內的多重性質表征；

3.協(xié)助pi開發(fā)實驗新技術,協(xié)助研究團隊的科研工作,為實驗室提供專業(yè)的技術支撐；

4.其它與科研相關的工作

2.申請人需具有博士學位或即將完成博士學業(yè)。

3.申請人需擁有材料生長和合成基礎，并在納米材料表征方向（拉曼光譜，掃描電子顯微鏡，穿透式電子顯微鏡，光譜橢圓偏振等）有一定經(jīng)驗。有接觸真空設備的操作和維護經(jīng)驗的申請人優(yōu)先考慮。

4.申請人能夠參加實驗室設備的搭建活動，并積極學習和研究各類軟硬件的操作方式。有l(wèi)abview和編程經(jīng)驗的申請人優(yōu)先考慮。

2.受聘者需有吃苦耐勞精神，能夠解決項目中的相關問題，協(xié)助搭建和維護mocvd設備，優(yōu)化生長工藝，并積極與實驗室其他團隊合作，為實驗室電子器件制備提供支持。

3.受聘者需定期匯報和總結實驗結果，在期刊雜志上發(fā)表文章，并擁有在國內國際會議上發(fā)表演講的能力。

2.具有固態(tài)物理器件，半導體物理相關背景的優(yōu)先考慮；

3.精通于量子計算（dft-negf）

2.通過計算模擬（密度泛函理論(dft)及第一性原理技術）的方式研究和尋找合適的材料。

3.通過量子或者經(jīng)典的輸運模型評測某種材料的器件表現(xiàn)。

4.涉及與實驗小組的密切合作，以驗證預測、驗證結果和解釋觀察結果。

2.具有原子力顯微鏡、電學模式原子力顯微鏡或半導體材料表征相關經(jīng)驗者優(yōu)先。

2.根據(jù)項目需求，采用多種表征技術，特別是基于電學模式原子力顯微鏡的表征技術，對二維材料與電子器件進行包括電學特性在內的多重性質表征，并與其他團隊合作，解決項目中的相關問題。

2.具有二維器件、鐵電功能器件或二維納米材料表征相關經(jīng)驗者優(yōu)先。

2.根據(jù)項目需求，設計并開發(fā)高性能高可靠性電子器件技術，包括相關器件的設計、制備以及測試表征等。

3.定期匯報和總結實驗結果，申請相關方向專利，發(fā)表高水平研究論文。

2.有豐富的實驗科研經(jīng)歷，對制造技術和半導體技術有比較全面的了解。

3.熟悉工程經(jīng)濟學，經(jīng)濟學基本原理。

4.思維活躍，優(yōu)秀的邏輯分析、歸納總結及解決問題能力。

5.具有半導體企業(yè)工作經(jīng)驗，或在研究機構/券商擔任過半導體行業(yè)分析研究工作優(yōu)先。

2.準確估計現(xiàn)有技術的成本，

3.通過與現(xiàn)有技術成本的比較，分析新技術的成本競爭力，并給予反饋，優(yōu)化新技術的研發(fā)過程。

2.熟悉一個或多個主流eda工具 （cadence virtuoso，ic compiler synopsis, calibre mentor graphics等）；

3.具有良好的科研能力和中英文寫作水平，以第一作者身份發(fā)表過高檔次研究論文。

2.探索基于新型二維材料/柔性電子器件的電路設計與優(yōu)化；

3.探索基于新型二維材料/柔性電子器件在可穿戴設備，智能iot以及人機接口的應用。

2.具有固態(tài)物理器件，半導體物理或者電路設計的背景。

3.精通于量子計算（dft-negf），器件模擬（tcad）。

2.主要課題包括：

a）為器件的應用通過計算模擬的方式研究和尋找合適的材料。

b）通過量子或者經(jīng)典的輸運模型評測某種材料的器件表現(xiàn)。

c）通過tcad開發(fā)不同的器件模型，為新型晶體管比如納米線晶體管或finfet設計電路。