復旦大學俞少峰課題組從事先進邏輯和存儲器件仿真、原子級材料仿真的研究，主要關注納米級尺度器件特性的微觀理解及集成電路未來技術的創新探索。目前主要研究方向包括：（1）環柵器件（GAACFET）的器件技術探索；（2）鐵電場效應晶體管的器件及材料性能研究。誠邀對集成電路工藝器件技術的前沿探索有興趣并有志深度參與的優秀博士加盟本研究組。

俞少峰，博士生導師，國家特聘專家，復旦大學微電子學院研究員，國家集成電路創新中心常務副總經理。先后在美國Intel、美國德州儀器和中芯國際等國際著名公司工作近30年，長期從事先進工藝研發、管理，參與過從0.5微米到14納米所有10代邏輯工藝技術的開發。2011年10月至2019年1月在中芯國際擔任技術研發副總裁，負責中芯國際各類工藝技術研發，包括14nm FinFET工藝技術平臺從零到壹的建立。俞少峰博士擁有已授權專利約60項，發表國際領先雜志和會議論文60余篇。

課題組近年來發表的論文如下：

[1] Sun, B., Z. Xu, R. Ding, J. Yang, K. Chen, S. Xu, M. Xu, Y. Lu, X. Zhu*, S. Yu, and D. Zhang*, Analytical Model of CFET Parasitic Capacitance for Advanced Technology Nodes. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022. 69(3): p. 936-941.

[2] Zhao, G.-D., X. Liu, W. Ren, X. Zhu*, and S. Yu, Symmetry of ferroelectric switching and domain walls in hafnium dioxide. Physical Review B, 2022. 106(6): p. 064104.

[3] X. Zhu, R. Ding, Y. Li, Q. Wu and S. Yu, CFET 6T HD SRAM Designs with 3nm Design Rule, 2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2022, pp. 1-4, doi: 10.1109/CSTIC55103.2022.9856851.

[4] R. Ding, Y. Li, Y. Liu, Q. Wu, X. Zhu* and S. Yu, HD SRAM bitcell size shrink beyond 7nm node by CFET without EUV, 2021 International Workshop on Advanced Patterning Solutions (IWAPS), 2021, pp. 1-4, doi: 10.1109/IWAPS54037.2021.9671236.

一、待遇 1. 按照復旦大學博士后相關規定執行，根據個人具體情況，提供具有競爭力的福利待遇，如博士后公寓，附屬幼兒園和附屬學校的配套教育資源；

2. 推薦優秀博士后申請超級博士后；

3. 視應聘者具體情況，課題組將提供額外個人補助，年薪25-30萬元及以上。

二、崗位職責 1. 能夠獨立開展科研工作、完成課題并發表文章。指導及幫助研究生的工作；

2. 協助參與課題組的日常管理。

三、招聘條件 1. 即將或已經獲得物理，材料，微電子、計算機等相關專業博士學位。發表過第一作者SCI文章，熟悉文章發表流程；

2. 具備良好的思想素質和職業操守，具有獨立科研的能力，工作努力，有責任心，熱愛科研工作；

3. 具有良好的溝通交流能力和團隊合作精神；

4. 具有良好的中英文表達和寫作能力。

具有以下一項或多項經驗者更佳 (非硬性條件)

1. 第一性原理計算 VASP， Quantum Espresso；

2. 量子多體場論，格林函數方法，微擾論等理論基礎知識；

3. 分子動力學模擬仿真, 經典動力學，AIMD等；

4. TCAD 工藝和器件仿真工具的開發和應用。

四、申請方式 請發送詳細的個人簡歷：包括學習工作經歷、主要研究工作內容、代表論文論著清單、獲得的獎勵情況，及附加研究興趣簡要說明電子版至: shaofeng_yu@fudan.edu.cn并抄送xiaona_zhu@fudan.edu.cn。注：未通過初篩者恕不另行通知。

（電話聯系是請說明是在今日招聘網看到的招聘信息，郵件申請時請在標題結尾加上信息來源于“今日招聘網-jrzp.com”）。